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IONTOF 官方网址：http://www.iontof.com

IONTOF是先进的TOF-SIMS的研究者和制造商。

 

IONTOF是由Alfred Benninghoven教授，Dr.Ewald Niehuis和Thomas Heller先生于1989年创立，创始人Prof.Benninghoven教授是国际静态二次离子质谱的奠基人，他们团队始终带领国际二次离子术的发展，从上世纪80年代初开始，Benninghoven教授和他的研究组就致力于飞行时间二次离子质谱的系统和应用研究。依托于明斯特大学和州纳米中心的技术和人才优势，TOF-SIMS已经发展成为无可替代的表面分析手段。

TOF.SIMS 5从2003年定型到现在已经成为市场上相当成功的飞行时间二次离子质谱系统。到2016年，世界上已经有超过350套高性能的TOF.SIMS系统成功地应用在世界各地的公司和学术研究机构中。

待续  

TOF-SIMS 发展历程

1986

TOF质量分析器的质量分辨达到 > 10.000

1986

低ppm范围内达到高质量准确度

1988

为绝缘样品分析进行电荷补偿 

TOF-SIMS II

TOF-SIMS III

TOF-SIMS IV

TOF-SIMS I 

1982 明斯特大学

1990
5轴平台，样品处理更灵活

1990
Ga离子枪原位超快速消隐
1993
分析容量可容纳 8“ 硅片

1994
采用双束模式深度剖析
1995
用于成像的 Burst模式获得专利许可
1997

用于大面积分析的微距扫描
1998
采用SF6离子源
1999

分析容量可容纳 12“ 硅片
1999

采用Au团簇离子源进行成像 

TOF.SIMS 5

TOF-SIMS M6

相比于第5代，新一代的M6具有如下突出优势：

1、新型 Nanoprobe 50 具有高横向分辨率 (< 50 nm)

2、质量分辨率 > 30,000

3、独特的延迟提取模式可同时实现高传输，高横向质量

4、广域的动态范围和检测限
5、用于阐明分子结构具有 CID 片段功能的 TOF MS/MS
6、先进智能的 SurfaceLab 7 软件，包括完全集成的多元统计分析 (MVSA) 软件包
7、新型灵活按钮式闭环样品加热和冷却系统，可长期无人值守运行

IONTOF公司专利

1.用于SIMS的Bi液态金属离子枪: JP 5416178, WO 2005-029532A2, US 9378937B2，…
2.BiMn发射器和G-SIMS应用程序: CN 101878515B, EP 2056333A1, US 8,410,425B2, US 8,525,125B1，…
3.采用分子离子溅射的双离子束模式的深度剖析: EP 0873574B1, JP 2000502498A, US 6,107,629，…
4.用于动态范围扩展的EDR技术: DE 102010032823B4, US 8,785,844B2, ZL 201180037512.X,…
5.采用团簇一次离子束的MCs深度剖析: EP 1891421B1, US 0152457A1, JP 4857336, DE 102005027937，…

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